几种新型宽带光接入方案及关键光电器件(续)

摘要：

(上接第4期)
2.3高速、可调波长和单片集成式光发射芯片(EAML-SOA)
对于40G TWDM-PON发射端来说,首先要解决宽带光芯片问题.为了缩小体积,提高光电性能,国内外正在研发宽带单片集成芯片.这种芯片性能优越,可充分满足40G TWDM-PON发射端技术要求,具有多种可能结构形式.其中,基于电控技术、波长可调谐的光发射芯片EAML-SOA,性能优越,商用化程度较高,EAML-SOA把具有MQW-LD、相移(DBR)、电吸收调制(EAM)、半导体光放大(SOA)单片集成在InP基片上,其芯片结构示意图如图5所示.

机标关键词：宽带、接入方案、光电器件、optoelectronic devices、芯片性能、单片集成、光发射、波长可调谐、芯片结构、结构形式、技术要求、集成芯片、光电性能、电控技术、小体积、示意图、商用化、集成式、光芯片、光放大

所属期刊栏目：37

分类号：TN929.11

在线出版日期：2013-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：30-32