10.3969/j.issn.1002-5561.2007.01.020
MCVD工艺沉积温度对有源光纤掺杂浓度的影响研究
以掺镱双包层光纤为例,主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺稀土离子有源光纤,通过对低温沉积疏松芯层时温度控制对最终研制的有源光纤镱离子掺杂浓度的影响研究,得出沉积温度对有源光纤掺杂浓度影响的规律,为目前国内普遍采用的MCVD工艺结合溶液掺杂技术制备掺稀土离子有源光纤提供了参考.
MCVD、有源光纤、稀土掺杂
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TN929.11
天津科技预研基金043602311
2007-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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