沉积位置对LPCVD SiC涂层微观结构的影响

摘要：

采用低压化学气相沉积法( LPCVD)在炭纤维表面制备了SiC涂层，借助扫描电镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对不同沉积位置SiC涂层的微观形貌和晶体结构进行了表征。 SEM结果表明，沿气流方向，涂层表面逐渐致密和均匀；SiC涂层为多层结构，这种多层结构的形成可能是由于反应中产生的HCl气体吸附在表面反应活性点，从而通过活性点的阻塞机制来阻止SiC晶粒的生长。 XRD结果表明，制备的涂层中存在自由碳，各位置处的SiC晶体在(111)晶面存在择优取向，且沿气流方向(111)晶面的取向性逐渐减弱，(220)和(311)晶面的取向性逐渐增加。拉曼光谱低段频谱(200~600 cm-1)的出现表明CVD涂层中存在一定的缺陷。

关键词：低压化学气相沉积、沉积位置、SiC涂层、微观结构

分类号：V257(航空用材料)

资助基金：国家自然科学基金创新群体项目51221001;教育部博士点基金20126102110013;国家自然科学基金面上项目51222207。

在线出版日期：2014-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：724-728,733