游离碳对SiC薄膜微观结构的影响

摘要：

以一甲基三氯硅烷为先驱体原料（ MTS），H2气为载气，采用化学气相沉积（ CVD）工艺，在Si基体表面制备SiC膜层。利用XPS、XRD、SEM以及HRTEM等表征方法，研究当沉积为SiC＋C时，游离碳对SiC膜层微观结构及其力学性能的影响。结果表明，膜层由SiC和C两相组成，形成SiC/C复合膜层结构，游离碳引起SiC晶粒细化。在SiC/C膜层中，游离碳的石墨化程度低，主要以无定形结构存在于SiC晶粒之间，形成富C区。由于SiC膜层中含有富C区，填充了SiC晶粒之间缺陷，这有利于提高SiC膜层的机械强度，以及改善SiC/Si之间的晶格匹配。

关键词：化学气相沉积、游离碳、SiC/C复合膜、微观结构

分类号：V258(航空用材料)

资助基金：国家自然科学基金项目51073094；辽宁省高等学校优秀人才支持计划项目2008RC39。

在线出版日期：2014-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：258-261