沉积温度对碳化硅基体及其复合材料的影响

摘要：

研究了沉积温度对化学气相渗透SiC基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响.950℃沉积碳化硅为非晶态;1 000℃以上沉积出的碳化硅为结晶态,1 050℃沉积碳化硅晶体以(111)取向为主;1 250℃沉积碳化硅晶体以(220)取向为主.沉积温度升高,沉积深度和均匀性降低.制备毡基C/SiC复合材料的沉积温度为1 100～1 150℃;制备三维编织C/SiC复合材料的沉积温度约为1 000～1 050℃.

关键词：碳化硅、化学汽相淀积、陶瓷基复合材料

分类号：TB332(工程材料学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：68-71