薄膜电路埋嵌电阻的制备及性能研究

摘要：

在薄膜集成电路的制作工艺中,沉积电阻材料制作高精度、高稳定性的埋嵌薄膜电阻是一项关键技术,TaN由于具有良好的电阻范围和较高的可靠性而被广泛应用于薄膜电路中制作埋嵌电阻.研究了通过反应磁控溅射技术制备TaN薄膜电阻,并通过均匀性挡板改善薄膜的均匀性,获得了高均匀性TaN薄膜电阻.分析了氮气流量比,沉积扫描速率等工艺参数对TaN薄膜电阻性能的影响,讨论TaN薄膜电阻最佳的制备工艺.

关键词：薄膜电路、氮化钽薄膜、方阻

所属期刊栏目：34

分类号：TN451;TN305(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-12-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：498-502