应用于LTE band1的高效率功率放大器设计

摘要：

设计了一种应用于LTE band1的带有自适应线性化偏置电路的高效率双链式HBT功率放大器.该电路基于InGaP/GaAs HBT工艺设计,通过控制偏置电路电压来选择高功率和低功率模式,对高功率模式仿真和测试结果进行分析.通过调试,最终高功率模式输出功率为28 dBm时,增益为27.5 dB,功率附加效率为43％,ACPR为-38 dBc.在低功率模式输出功率为16 dBm时有21％的功率附加效率.

关键词：长期演进、功率放大器、铟镓磷/砷化镓异质结双极晶体管、功率附加效率

所属期刊栏目：34

分类号：TN722;TN322+.8(基本电子电路)

在线出版日期：2014-12-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：450-454