不同温度下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs迁移率的影响

摘要：

在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子.经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4 H-SiC MOSFETs取得好的电特性.基于前期4H-SiC MOS电容的实验结果,采用计算机模拟研究了不同温度条件下的表面粗糙度对4 H-SiC MOSFETs沟道迁移率的影响.结果表明,在较高的栅压下,限制沟道迁移率的主要机制是表面粗糙度散射,然而,表面粗糙度数值的大小对迁移率的影响不大.结果同时表明,迁移率的峰值会随着温度的增加而增加,然而,对于更高的温度,峰值会随着温度的继续增加而减小.

关键词：4H-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管、表面粗糙度、温度依赖、场效应迁移率、计算机模拟

所属期刊栏目：34

分类号：TN386.1;TN432(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51177003

在线出版日期：2014-12-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：415-419,449