SiO2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究

摘要：

高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜.采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiC MOS结构界面电学特性.发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性.采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理.

关键词：4H碳化硅、金属氧化物半导体、二氧化硅/碳化硅界面、变角X射线光电子能谱、湿氧二次氧化

所属期刊栏目：29

分类号：TN305;TN304.1+2(半导体技术)

资助基金：国家科技部重大基础研究前期研究专项2005CCA00100;辽宁省自然科学基金20072192;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-06-0278;教育部留学回国人员科研启动基金20071108

在线出版日期：2009-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：339-342