导模法生长β-Ga2O3晶体中的小角晶界

摘要：

β-Ga2O3作为最具发展潜力的超宽禁带半导体材料,其晶体缺陷方面还缺乏深入且全面的研究.面缺陷小角晶界主要存在于β-Ga2O3(100)晶面,会破坏晶体结构完整性,降低晶体质量.采用化学刻蚀法和透射电子显微镜技术对导模法生长β-Ga2O3 晶体中的小角晶界进行宏观分析和微观结构表征.研究表明:小角晶界两侧的刻蚀坑形状和朝向相同,晶界两侧的晶粒取向差约为3°,除此之外,小角晶界会使摇摆曲线出现肩峰及展宽,通过对β-Ga2O3晶体中小角晶界缺陷的微观结构进行表征,填补了小角晶界缺陷的研究空白.

关键词：导模法、β-氧化镓、小角晶界、摇摆曲线

所属期刊栏目：51

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：广东省重点领域研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1406-1411