SiO2掺杂对ZnO–Bi2O3基压敏陶瓷电学性能的影响

摘要：

在ZnO–Bi2O3–MnO2–Cr2O3基础上掺杂不同含量的SiO2,采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构.利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能.利用电容–电压特性法测试其晶界参数.结果表明:在频率10 kHz附近时,由于极化跟不上外电场变化,相对介电常数急速下降,同时产生相应的损耗峰.随着SiO2掺杂量的增加,损耗角正切(tanδ)先降低后升高,在掺杂量为0时最高,1.0％(摩尔分数)时最低,SiO2的掺杂明显降低了在105 Hz附近的tanδ值.非线性系数(α)随着SiO2掺杂量的增加先增加后减小,在SiO2掺杂量为1.0％时,样品α值达到43.36,晶界势垒高度φb在10 kHz时为1.98 eV,施主浓度低至2.97×1024 m–3,同时漏电流IL为0.31μA/cm2.

关键词：二氧化硅、氧化锌、压敏陶瓷、晶界势垒、非线性系数、电容—电压特性法

所属期刊栏目：50

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金51802183

在线出版日期：2022-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2366-2373