划痕速率和晶向对6H-SiC单晶片划痕特征的影响

摘要：

采用微纳米力学测试系统对6H-SiC单晶片开展了不同速率和不同晶向的划痕试验,对划痕的摩擦系数、划痕切削深度以及表面三维形貌进行分析,进而研究划痕速率和晶向对6H-SiC单晶片划痕特征的影响.结果表明:当静载荷4 N和6 N、划痕速率从0.2 mm/min到1.6 mm/min时,随着载荷及划痕速率增大,划痕摩擦系数、划痕切削深度和划痕宽度等增大,SiC单晶片塑性变形区域增大,表面更粗糙.低速时摩擦系数较小,在一定程度上会减小划头的磨损速率.不同晶向的划痕材料堆积和凹坑程度不同,沿[1120]和[1120]晶向划痕的摩擦系数、划痕峰高和谷深较小,而沿[2110]和[1210]晶向划痕时较大,前者比后者较易实现塑性域加工.

关键词：碳化硅晶片;划痕速率;晶向;表面形貌

所属期刊栏目：49

分类号：TN305.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;河南省自然科学基金;中国博士后科学基金

在线出版日期：2022-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2644-2651