10.14062/j.issn.0454-5648.20200271
介孔CoMn2O4/还原氧化石墨烯复合材料的制备及其超级电容性能
采用共沉淀法制备了CoMn2O4/还原氧化石墨烯(CoMn2O4/rGO)复合电极材料,并研究了石墨烯含量对CoMn2O4/rGO复合材料形貌、微观结构及电化学性能的影响.结果表明:CoMn2O4纳米颗粒沉积在石墨烯纳米片的表面,随着石墨烯含量的增加,CoMn2O4纳米颗粒在rGO表面的分布逐渐均匀,聚集现象消失.CoMn2O4/rGO具有高的比表面积及优良的电化学性能,其中CoMn2O4/rGO20(rGO质量分数为20%)电容性能最好,在电流密度1A/g时具有1420F/g的比电容.CoMn2O4/rGO30(rGO质量分数为30%)的倍率性能和循环稳定性能最好.2000次充放电后,样品CoMn2O4/rGO30在5A/g时的比电容保持率为94%,样品CoMn2O4的比电容保持率为78%.
还原氧化石墨烯、锰酸钴、超级电容器、复合材料
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TM53(电器)
国家自然基金项目51274119
2021-01-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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167-173