单模As2S3光纤制备及其弯曲损耗

摘要：

采用动态蒸馏纯化工艺和熔融淬冷法制备了纤芯和内外包层玻璃组分分别为As40S60和As39S61的硫系玻璃,采用计算机数控车床钻孔法制备了包层套管,结合二次管棒法拉制出包层和纤芯直径分别为124μm和5μm的硫系光纤,对其纤芯和包层玻璃折射率、光纤端面几何尺寸、传输和弯曲损耗等进行了测量和分析.结果表明:该光纤在2.5～10.0μm波段数值孔径(NA)小于0.425,且纤芯和包层同心度较好,光纤在1550 nm波长下的损耗为1.7 dB/m,光纤在λ>2.5μm波段呈现单模传输特性.当光纤弯曲半径达到20 mm左右时损耗急剧增加.

关键词：硫系玻璃、硫化砷硫系光纤、二次管棒法、弯曲损耗、数值孔径

所属期刊栏目：48

分类号：TQ171

资助基金：国家自然科学基金;宁波大学王宽诚幸福基金

在线出版日期：2020-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1348-1352