10.14062/j.issn.0454-5648.20190306
Sm3+掺杂SrBi4Ti4O15-Bi4Ti3O12压电陶瓷的结构、电学和光致发光性能
采用固相法制备Sm3+掺杂SrBi8-xSmxTi7O27(SBT-BIT-xSm3+,0≤x≤0.50)共生铋层状陶瓷,研究了不同掺杂量的Sm3+对样品的结构、介电、压电以及光致发光性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均为单一的共生铋层状结构,XRD精修和Ramam结果显示Sm3+掺杂引起样品晶格畸变的减小,适量的Sm3+掺杂降低了介电损耗tanδ,提升了压电常数d33,当x=0.30时,综合电性能最佳:压电常数d33=16.3 pC/N,tanδ=0.90％.在407 nm近紫外光的激发下,SBT-BIT-xSm3+陶瓷样品在598 nm处存在最强的红橙光发射,当x=0.15时,发光强度达到最佳,Sm3+掺杂SBT-BIT共生铋层状陶瓷在光-电多功能器件等领域中具有潜在的应用前景.
压电陶瓷、Raman光谱、晶格畸变、光致发光
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TQ174.1
国家自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省教育厅科技项目GJJ170789, GJJ170804, GJJ180718, GJJ170794资助
2020-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
325-331
