10.14062/j.issn.0454-5648.20190330
大尺寸GaSe单晶生长和光学性能
通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上.通过垂直Bridgman-Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能.结果显示:吸收系数小于1 cm-1的透过波段为0.64μm~17.80μm,吸收系数小于0.1 cm-1的透过波段为0.64μm~12.82μm;太赫兹光谱显示有2个吸收峰,分别在0.58 THz和1.10 THz处,吸收系数均小于5.5 cm-1;GaSe单晶体的激光损伤阈值为3.2 J/cm2.
硒化镓晶体、中远红外激光、非线性光学材料、太赫兹
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O782(晶体生长)
国家自然科学基金杰出青年基金项目;黑龙江省科学基金项目
2020-03-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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