无压烧结制备Ti–Al–C系三元层状陶瓷
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10.14062/j.issn.0454-5648.2019.09.16

无压烧结制备Ti–Al–C系三元层状陶瓷

引用
以TiC粉、Al粉、Ti粉为原料,采用无压烧结工艺制备高纯Ti-Al-C三元层状陶瓷,探究了烧结温度、烧结时间、烧结助剂等对Ti-Al-C系三元层状陶瓷制备的影响.结果表明:在一定范围内提高烧结温度和烧结时间能减少杂质相的产生,不添加助剂情况下在1400℃下保温3 h能得到80%(质量分数)以上的Ti-Al-C系三元层状陶瓷,该条件下掺入少量Si粉或Sn粉能得到高纯Ti-Al-C系三元层状陶瓷.TiC、Al、Ti和Si质量比为2.0:1.2:1.0:0.1的原料粉末在1400℃保温3 h能得到纯度99%以上的Ti3AlC2陶瓷,TiC、Al、Ti和Sn质量比为2.0:1.2:1.0:0.1与TiC、Al、Ti和Sn质量比为1.0:1.2:1.0:0.1的原料粉末在1400℃保温3 h均能制备出纯度99%的以Ti3AlC2为主晶相的Ti3AlC2/Ti2AlC复相陶瓷.

无压烧结、钛-铝-碳系三元层状陶瓷、高纯度、模板效应

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TQ174.1

绿色轻工材料湖北省重点实验室资助项目201806A04;湖北工业大学大学生创新创业训练计划项目201810500151

2019-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2019,47(9)

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