膜厚对超薄四面体非晶碳膜应力和结构的影响

摘要：

利用自主研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧技术制备超薄四面体非晶碳膜,研究了膜厚变化对超薄四面体非晶碳膜残余应力和微观结构的影响.结果表明:膜厚从7.6 nm增加到50 nm时,残余应力和sp3含量先减小后增加;当膜厚为29 nm时,可以得到最小的残余应力为3.9 GPa.制备的薄膜表面粗糙度都小于纯硅片表面粗糙度(0.412 nm),表明沉积的碳粒子可以减少基体表面的缺陷;基于磁过滤阴极真空电弧技术的优势,制备的超薄四面体非晶碳膜在较大区域内表面无大颗粒等物质.

关键词：四面体非晶碳膜、膜厚、残余应力、薄膜结构

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分类号：TQ171

资助基金：国家自然科学基金项目51371187,51522106;甘肃省科技创新服务平台专项1505JTCF039;甘肃省高等学校科研项目2017A-273;兰州理工大学新能源学院重点科研项目LUT-XNY-2017009

在线出版日期：2019-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：71-76