金属-半导体-金属结构非极性a-AlGaN深紫外探测器的制备

摘要：

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)高温外延生长的未掺杂非极性a-AlGaN半导体薄膜,制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的深紫外光电探测器,研究了在a-AlGaN半导体薄膜表面磁控溅射不同时间的SiO2纳米颗粒对a-AlGaN MSM结构的深紫外探测器性能的影响.结果表明:5 V偏压下,探测器光谱响应峰值提高了大约3个数量级,深紫外近可见抑制比高达104,具有很好的深紫外特性,同时暗电流也下降了2～3个数量级,磁控溅射SiO2纳米颗粒提升了a-AlGaN MSM结构深紫外探测器性能.

关键词：深紫外探测器、二氧化硅纳米颗粒、非极性a面铝镓氮、金属-半导体-金属结构

所属期刊栏目：46

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：浙江省教育厅科研项目Y201737504

在线出版日期：2018-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1304-1308