快速退火对磁控溅射制备Bi/Te多层膜热电性能的影响

摘要：

采用磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积Bi/Te多层膜,并在常压氮气保护下进行快速退火处理.研究退火温度和时间对薄膜的显微结构、物相组成和热电性能的影响.结果表明:随退火时间的延长样品中依次出现片状晶粒的成核、定向生长和横向堆叠等结构的演变特征,使晶粒沿横向逐渐增厚,且退火温度越高,结构演变速率越快.退火样品以Bi2Te3为主相,350~400℃退火使薄膜表层生成少量Bi-Te氧化物.随退火时间的延长,与晶粒堆叠厚度相关的量子化效应显现,使薄膜的热电性能出现明显的振荡现象.在350℃退火11~17 min的薄膜,可获得稳定的高功率因数,最大值为21.91μW/(K2·cm).

关键词：Bi/Te多层膜、热电薄膜、快速退火、热电性能、量子化效应

所属期刊栏目：46

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目51577132,61605145;天津市自然科学基金项目15JCQNJC41800;天津市教委科研计划项目自然科学2017ZD06

在线出版日期：2018-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：964-971