四甲基硅流量对SiC空心微球成分及性能的影响

摘要：

以四甲基硅(tetramethyl silane,TMS)、反式二丁烯(trans-2-butene,T2B)和氢气为工作气源,采用化学气相沉积(CVD)-高温热解法,在不同TMS流量条件下制备了惯性约束聚变用SiC空心微球.对SiC空心微球的成分、表面形貌、表面粗糙度、球形度以及壁厚均匀性等进行了表征,分析了不同TMS流量对SiC空心微球成分及性能的影响.研究表明:在SiC空心微球中,C与Si两元素的原子比随TMS流量增加呈现逐渐减小的趋势.微球的表面均方根粗糙度随TMS流量的增加先减小后增加,当TMS流量为0.25 mL/min时,表面均方根粗糙度减小至78nm.微球的球形度随TMS流量的增加不发生明显变化,且均优于99％,而壁厚均匀性随TMS流量的增加先增加后减小,当TMS流量为0.25 mL/min时,壁厚均匀性可达96％.

关键词：碳化硅、空心微球、四甲基硅、表面粗糙度、球形度

所属期刊栏目：45

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：中国工程物理研究院超精密加工重点实验室基金项目ZD16002

在线出版日期：2017-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1446-1453