Si4+掺杂对橙红色荧光粉NaBaSixP1-xO4:Eu3+结构和发光性能的影响

摘要：

采用高温固相法合成了一系列NaBaSixP1-xO4:Eu3+橙红色荧光粉.表征了荧光粉的晶体结构和发光性能.考察了煅烧温度和Si4+掺杂量对荧光粉结构和发光性能的影响.结果表明:掺杂Si4+对荧光粉的晶型没有明显影响,但是导致了晶格膨胀.750℃煅烧时基质已形成NaBaPO4相,晶型为六方晶系,荧光粉发射峰强度最强.激发光谱由200~280 nm的宽带和310~500 nm的一系列尖峰组成,分别对应于O2-→Eu3+电荷迁移带和Eu3+的f→f能级跃迁吸收,最强激发峰位于393 nm左右,与近紫外LED芯片的发射光谱匹配.在393 nm近紫外光激发下,最强发射峰和次强发射峰分别位于红光616 nm和橙光591 nm附近,分别属于Eu3+的5D0→7F2和5D0→7F1特征跃迁.NaBa0.92SixP1-xO4:0.08Eu3+中Si4+的最佳掺杂量为0.02mol,NaBa0.92Si0.02P0.98O4:0.08Eu3+样品在616和591 nm附近的发射强度比单掺杂Eu3+的样品分别提高了66.6%和63.6%.

关键词：磷酸钡钠、铕掺杂、橙红色荧光粉、硅掺杂、发光性能

所属期刊栏目：45

分类号：O482.31;P578.92(固体物理学)

资助基金：辽宁省科技厅自然科学基金项目LS201102174

在线出版日期：2017-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：529-535