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10.14062/j.issn.0454-5648.2016.12.05

ZrO2掺杂对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷结构及介电性能的影响

引用
采用固相烧结法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3+x%ZrO2 (BMZT)微波介质陶瓷,研究了ZrO2掺杂对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 (BMT)微波介质陶瓷结构和介电性能的影响.结果表明:陶瓷体系中存在2种相,主晶相Ba(Mg1/3Ta2/3)O3和附加相Ba0.5TaO3.随着x的增大,陶瓷体系的相结构由六方结构逐渐向立方结构转变,同时有序相由1∶2有序结构逐渐向1∶1有序结构转变.添加适量的ZrO2可以促进液相烧结,当x=8时,陶瓷致密化烧结温度由纯相时的1 650℃以上降至1 450℃,表观密度ρ=7.568 g/cm3,相对理论密度达到99.1%,BMZT体系拥有良好的微波介电性能:相对介电常数εr=25.5,品质因数与谐振频率的乘积Qf=137 600 GHz(8 GHz),谐振频率温度系数τf=0.3×10-6/℃.

微波介质陶瓷、掺杂、晶体结构、介电性能

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TM277(电工材料)

湖南省自然科学基金14JJ7075,15JJ2130;湖南省教育厅基金13A091,14A129;湖南省高校科技创新团队支持计划资助

2017-01-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2016,44(12)

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