Ho3+掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与光谱特性

摘要：

采用坩埚下降法生长了尺寸为?25 mm×100mm的Ho3+掺杂的Bi4Si3O12(BSO：Ho)晶体，研究了所得晶体的透射光谱、激发光谱、发射光谱等特性。结果表明：BSO：Ho晶体透射光谱与纯BSO晶体基本一致，在350~800 nm波长范围的透过率约为80%，吸收边在286 nm处；在360、454和537 nm处存在与Ho3+有关的吸收峰；激发光谱在240~310 nm波段出现1个宽的激发带，峰值在290 nm左右；发射光谱中除480 nm发射带外，在573 nm附近有多个与Ho3+有关的尖锐发射峰。BSO：Ho晶体的主要发光分量的荧光衰减时间为94.41 ns，表明掺杂0.1%Ho3+(摩尔分数)有利于提高BSO晶体的闪烁性能。

关键词：硅酸铋晶体、坩埚下降法、晶体生长、钬掺杂、光谱性能

所属期刊栏目：44

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金项目51572175，51342007。

在线出版日期：2016-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1446-1450