应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟

摘要：

采用分子动力学方法对SiC单晶应变率敏感性及其失效机理进行了研究.模拟了室温下不同应变速率对立方SiC单晶[001]方向的拉伸行为的影响.当应变速率在0.01～10ps-1时,拉伸强度随应变速率的提高而增加.拉伸过程中SiC晶体发生非晶转变导致强度提高.当应变率低于0.01 ps-1时,晶体在(111)面上发生破坏,强度趋于71.4 GPa.应变率大于10ps-1时,晶体强度达到243 GPa,并未发生非晶转变.

关键词：碳化硅、应变率、拉伸行为、分子动力学

所属期刊栏目：44

分类号：O733(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金委创新群体项目11121061,11474136

在线出版日期：2016-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：550-553