10.14062/j.issn.0454-5648.2016.04.04
水平梯度冷凝法生长优质ZnGeP2单晶与性能表征
用自制的双温区机械震荡管式炉合成了 ZnGeP2多晶,单次合成量超过500g.采用水平梯度冷凝法生长了质量为350~395g的ZnGeP2单晶,单晶最大尺寸为25mm×32mm×165mm.通过X射线粉末衍射、摇摆曲线以及红外透射光谱等研究了合成的多晶和生长的单晶品质.结果表明:晶体(100)面摇摆曲线半峰宽为33"~42",且峰型锐利、对称;在3~8 μm的吸收系数小于0.01cm-1,2μm处吸收系数小于0.03cm-1.另外,制备了ZnGeP2光学参量震荡器件,该器件在2μm激光泵浦下成功输出3~5μm可调谐激光,光光转化效率为56.2%.表明生长的ZnGeP2晶体具有较高的品质,能满足应用要求.
磷锗锌晶体、非线性光学晶体、晶体生长、水平梯度冷凝法
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O782+.9(晶体生长)
中国工程物理研究院化工材料研究所科技创新基金项目KJCX-201308;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室基金项目HEL2013-08;国家自然科学基金青年基金项目51402270
2016-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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