碳化硅量子点表面物化特性调控及其光学特性

摘要：

采用化学偶联法,通过调整腐蚀剂组分及其相对含量,一步法实现了碳化硅量子点(SiC-QDs)表面物化特性的有效调控.研究表明:经硝酸(HNO3)和氢氟酸(HF)混合腐蚀剂腐蚀纳米β-SiC粉末,通过超声空化破碎分散及高速离心处理,可获得SiC-QDs水相溶液,并一步法实现了表面修饰,在其表面形成了-COO、-OH等亲有机物功能基团.采用浓硫酸(H2SO4)为偶联剂,制备出表面具有巯基(-SH)的SiC-QDs水相溶液.腐蚀剂组分的相对含量对于SiC-QDs的光致发光强度与表面巯基的形成影响较大.在波长为340 nm的激发光激发下,SiC-QDs具有最大的发光强度,随着腐蚀剂中H2SO4含量的增加,其光致发光强度呈现降低趋势.当腐蚀剂的体积比为V(HF); V(HNO3)∶ V(H2SO4)=6;1;1时,制备的水相SiC-QDs表面既能稳定耦合-SH,又可以获得较高的光致发光强度.另外,对表面物化特性调控及其形成机制进行了分析研究.

关键词：碳化硅量子点、表面物化特性、光学特性、腐蚀法

所属期刊栏目：43

分类号：O482;O614(固体物理学)

资助基金：山东省科技发展计划项目2014GGB01380;“十二五”国家支撑计划项目2011BAD12B02;山东省博士后创新基金201203101;中国博士后科学基金2013M53163项目

在线出版日期：2015-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：431-436