高分子辅助沉积法在镍基片上制备的钛酸钡薄膜的漏电机制

摘要：

采用高分子辅助沉积法在多晶镍衬底上,以氧化镍作为缓冲层,生长了多晶钛酸钡(BaTiO3,BTO)薄膜.对其漏电特性测试及分析发现,在测试电压区间和极性不同时,分别具有不同的漏电机制,可分别用Frankel Pool emission,spacecharge limited current (SCLC)与Schottky emission等机制来描述.由于界面缓冲层分解以及界面扩散等原因,BTO/Ni界面呈现Ohmic接触,而Au/BTO界面呈现Schottky势垒接触.通过测量不同温度下的漏电流大小,得到Au/BTO界面的有效势垒为0.32 eV,从而得到Au/BTO/Ni能带结构图.利用一阶线性电路模型对其界面电阻与体电阻进行计算,得到的界面电阻与体电阻大小及变化趋势与实验及理论相符合.

关键词：高分子辅助沉积、钛酸钡薄膜、漏电机制、镍衬底

所属期刊栏目：42

分类号：TB303(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51372034;中央高校基本科研业务费ZYGX2011J028;广东省创新团队201001D0104713329

在线出版日期：2014-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1240-1246