掺钕氟化钇锂多晶料的合成与晶体生长

摘要：

采用干法(稀土氧化物与无水HF气体高温反应)合成Nd∶ LiYF4 (Nd∶ YLF)多晶料.通过X射线衍射仪对多晶料的物相结构进行表征,确定了多晶料合成最佳工艺参数.发现稀土氟化物原料中氧化物杂质的存在对生长晶体有很大影响,直接采用未经处理的氟化物原料生长晶体,会在晶体表面出现白色包裹物.因此,在HF气氛下,经1 200℃热处理才能去除残留在氟化物原料中的氧化物杂质,保证生长晶体的质量.实验确定了生长YLF晶体的最佳组分配比是LiF与YF3的摩尔比为53∶47.以最佳组分配比,采用提拉法生长了Nd∶ YLF晶体.结果表明:以最佳组分配比生长的Nd∶ YLF晶体具有高的纯度和光学性能;在808 nm二极管激光器泵浦下,位于1 047和1 053nm处的发射峰(4 F3/2→4I11/2)均有较强的荧光发射.

关键词：掺钕氟化钇锂、多晶料、干法、晶体生长

所属期刊栏目：42

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：吉林省科技发展计划20110803

在线出版日期：2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：756-760