稻壳制备碳化硅晶须

摘要：

通过稻壳先炭化再高温合成两步法制备出碳化硅晶须,考察温度、催化剂、合成气氛和时间对碳化硅晶须形成的影响.采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射对合成的碳化硅晶须进行表征,分析碳化硅晶须形成机理.结果表明:SiC晶须的形成温度不低于1 200℃,在合适的温度范围内,温度越高,SiC晶须的产量越高;1 400℃为适宜的加热温度.在真空条件下无碳化硅晶须生成,通Ar保护和加入催化剂能促进碳化硅晶须的形成和长大.控制时间在2h左右,随着合成时间的延长,碳化硅晶须量增加.碳化硅晶须为竹节状直晶、光滑直晶和弯晶,其中直晶居多,组成为β-SiC.由稻壳制备碳化硅晶须的形成机理制为在催化剂作用下的气-液-固和气-固机理.

关键词：稻壳、制备、碳化硅晶须、气-液-固机理

所属期刊栏目：42

分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：吉林省科技发展计划20130101022JC;吉林大学汽车材料教育部重点实验室开放基金11-450060445347;国家级大学生创新创业训练计划201210190005,201310190035

在线出版日期：2014-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：28-33