快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷

摘要：

利用正电子湮没谱(PAS)及Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)技术研究了快中子辐照直拉硅(CZSi)中辐照缺陷.研究发现,经快中子辐照后的硅中会有大量的单空位型缺陷VO及多空位型缺陷V2和V2O;经200～450℃热处理后,FTIR光谱中出现的720和919.6 cm-1红外吸收峰为单空位型缺陷,其正电子寿命与VO的寿命接近,约为290 ps;经450～600℃热处理后,随单空位型缺陷VO消失,V4型缺陷浓度迅速增加,600℃热处理后其浓度达到最大(相对浓度约为70％).

关键词：直拉硅、正电子湮没、中子辐照、空位型缺陷

所属期刊栏目：41

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目10904109,50872028;河北省教育厅科研计划项目2009318;天津理工大学校级项目LGYM-201016

在线出版日期：2013-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：808-811