物理气相传输法制备大面积AlN单晶

摘要：

以自制[0001]正晶向sic衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 nm、厚度700 μm的AlN单晶层.介绍了晶体生长系统和生长工艺条件；分析了样品的相组成和形貌.结果表明:样品中SiC-AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶表面特征.Raman光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性好,无杂质相,为典型的2H单晶晶型,生长面为标准的c面正晶向.

关键词：氮化铝单晶、物理气相传输法、碳化硅籽晶

所属期刊栏目：41

分类号：O782(晶体生长)

在线出版日期：2013-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：803-807