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10.7521/j.issn.0454-5648.2013.01.06

硅纳米线阵列的制备及光伏性能

引用
在常温常压下,采用无电极金属催化化学腐蚀法在P型单晶硅片(100)基底上制备定向排列的硅纳米线阵列.研究了不同浓度硝酸银对纳米线阵列形貌、反射光谱性能的影响和具有电池雏形的硅纳米线阵列的光伏性能.结果表明:硝酸银浓度在0.02 mol/L时为最佳配比;与普通绒面电池相比,硅纳米线阵列太阳能电池的光电转换性能明显优于普通绒面电池.用光谱响应分析手段分析硅纳米线电池光伏性能的影响因素,并提出解决办法.

硅纳米线阵列、无电极金属催化法、光谱反射率、光伏特性

41

TB34(工程材料学)

国家自然科学基金11074066;河南省重点科技攻关项目092102210018;河南省教育厅自然科学研究项目2010B140008;河南师范大学校青年基金521

2013-04-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

41

2013,41(1)

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