Ce3＋在 Na2Ca1–xSiO4：xCe3＋中的发光特性及晶体学格位
采用高温固相法合成了 Na2Ca1–xSiO4：xCe3＋蓝色发光材料，并对其发光特性进行了研究。测得激发光谱为双峰宽谱，峰值分别位于 279nm 和360 nm，属于 Ce3＋的 4f–5d 跃迁，可被紫外–近紫外 LED 芯片有效激发。样品的发射光谱为不对称单峰宽谱，主峰位于 439nm。利用 van Uitert 公式证明了 Ca 在 Na2CaSiO4中只存在一种晶体学格位，判定经 Gauss 分峰拟合后的 425 nm 与 460 nm 子发射峰均来自于八配位 Ce3＋的发射，非对称发射的原因是局部晶体场的不对称和 Ce3＋能级劈裂。研究了 Ce3＋掺杂量对 Na2Ca1–xSiO4：xCe3＋材料发光特性的影响。结果显示，随 Ce3＋掺杂量的增大，发光强度先增大后减小，且发射光谱红移。Ce3＋掺杂量为 4% （摩尔分数）时，出现浓度猝灭，根据 Dexter 理论分析猝灭机理为电偶极–电四极相互作用。
发光、硅酸钙钠、晶体学格位、荧光粉
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O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金项目50902042;河北省自然科学基金F2009000217资助项目。
2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1346-1350
