Sb2O3部分替代V2O5对V2O5–P2O5–Sb2O3–Bi2O3体系玻璃电性能的影响
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Sb2O3部分替代V2O5对V2O5–P2O5–Sb2O3–Bi2O3体系玻璃电性能的影响

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采用体积电阻率法、红外光谱、X射线衍射研究了V2O5–P2O5–Sb2O3–Bi2O3体系玻璃的电性能、结构和析晶状况。结果表明:随着Sb2O3取代部分V2O5,玻璃的体积电阻率显著升高,电子分别以V4+和V5+为中心不停地进行电子跃迁的电子导电特征得到明显抑制,15%Sb2O3、20%Sb2O3玻璃的体积电阻率可以达到实用水平。当Sb2O3取代V2O5进入钒酸盐玻璃中,玻璃结构得到增强,析晶状况得到改善,削弱了玻璃的导电能力。

钒酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、氧化锑、氧化铋、体积电阻率

40

TQ171

2012-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

577-582

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0454-5648

11-2310/TQ

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2012,40(4)

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