生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响

摘要：

采用激光分子束外延法在Al2O3基片上制备AlN薄膜。用反射高能电子衍射、X射线衍射和原子力显微镜研究沉积温度对薄膜微结构的影响,通过光致发光谱和透射光谱对六方AlN薄膜的光学性能进行研究。结果表明：沉积温度为450℃时,沉积的AlN薄膜为非晶态;沉积温度为650℃时,在Al2O3基片上得到c轴单一取向的的六方AlN薄膜,且AlN和Al2O3之间的外延匹配关系为AlN[1210]//Al2O3[1100],AlN[1100]//Al2O3[1210]和AlN（0001）//Al2O3（0001）,这种面内相对旋转30°,可以减小AlN薄膜与Al2O3基片之间的晶格失配度和界面能。此外,650℃沉积的AlN的透射率达到85%,禁带宽度为5.6 eV。沉积温度升高到750℃时,AlN薄膜的透射率和光学能隙变小

关键词：氮化铝薄膜、外延生长、氧化铝基片、激光分子束外延法

所属期刊栏目：39

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：杰出青年基金50425027

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1819-1824