V2O5掺杂ZnO-Bi2O3-CO2O3-MnCO3-TiO2低压压敏陶瓷的微结构和电性能

摘要：

采用固相反应法制备V2O5掺杂的ZnO–Bi2O3–Co2O3–MnCO3–TiO2（ZBCMT）低压压敏陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪和阻抗分析仪研究了V2O5掺杂对ZBCMT陶瓷微结构、压敏性能、电场强度–电流密度特性和介电性能的影响。结果表明：掺摩尔分数为0.010%的V2O5时,ZBCMT陶瓷的综合性能最佳,压敏电压梯度为31.1 V/mm,漏电流密度为0.02μA/mm2,非线性系数为25,施主浓度Nd和界面态密度Ns的最小值分别为0.810×1018/cm3和2.632×1012/cm2,耗尽层宽度ω的最大值为32.49 nm,同时,出现了较高的势垒高度φB（0.908 eV）。随V2O5掺杂量的增加,ZBCMT陶瓷的Nd和Ns增加,而ω和φB减小,这与受主杂质V2O5的掺杂有关

关键词：压敏陶瓷、微结构、电性能

所属期刊栏目：39

分类号：TM283(电工材料)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1813-1818