铜锌锡硫半导体薄膜材料的制备与表征

摘要：

采用水热法成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料,通过浸涂法制备了相应的薄膜,并在N2气氛中于400℃对薄膜进行了退火处理.用X射线荧光光谱分析了所得CZTS粉末中各组成元素的含量,并分别用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外光谱对CZTS薄膜样品的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征.结果表明:所得的CZTS粉末的元素组成为Cu1.90Zn0.94Sn1.00S4.30,符合理论化学计量比,所制备的CZTS薄膜具有良好的结晶度,表面均匀、无裂纹,其直接带隙为1.51 eV,退火后降低到134eV.

关键词：铜锌锡硫、水热法、薄膜、浸涂法、制备

所属期刊栏目：39

分类号：TM914

资助基金：国家自然科学基金51072043;“973”计划重大科学问题导 向项目2011CBA00700;安徽省年度重点科研项目计划2010AKND0794;合肥工业大学学生创新基金项目XS2010036,cxsy102084

在线出版日期：2011-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1108-1111