CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析

引用
利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究.CdCeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点.通过总的和部分态密度分析了不同能带的贡献成分.计算的结构参数及弹性常数与实验值基本吻合.CdGeAs2晶体具有直接能隙,禁带宽为0.05 eV,并且具有共价特性.此外,通过电子等密度线以及Mulliken键布局表明,cd-As键的共价性要强于Ge-As键的.

砷化锗镉晶体、密度泛函理论、弹性性能、电子性能

39

O73(晶体物理)

2011-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

349-354

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

39

2011,39(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn