低温放电等离子烧结法制备氮化硅陶瓷

摘要：

分别以MgO-Al2O3或MgO-AlPO4作为烧结助剂,采用放电等离子体低温快速烧结方法制备了主相为α相的Si3N4陶瓷材料.采用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了样品的物相组成和显微结构;研究了烧结助剂及其含量、烧结温度对陶瓷样品的相对密度与力学性能的影响.结果表明:当采用4%质量分数,下同)MgO-4%Al2O3烧结助剂时,1 400℃烧结的陶瓷样品的相对密度和弯曲强度达到最高,分别为81%和182 MPa,且随烧结助剂中Al2O3含量的增加,样品的相对密度和弯曲强度降低.而当采用4%MgO-16%AlPO4烧结助剂时,1 300℃烧结的陶瓷样品的相对密度和弯曲强度分别达到96%和366.5MPa,且样品的相对密度和弯曲强度随烧结温度的升高而增大.表明MgO-AlPO4可以用作Si3N4低温烧结的一种有效烧结助剂,可降低陶瓷的烧结温度和提高其力学强度.

关键词：氮化硅、低温烧结、烧结助剂、放电等离子体烧结

所属期刊栏目：39

分类号：TQ174

资助基金：中国高校基本科研业务费专项资金资助项目

在线出版日期：2011-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：246-250