自蔓延高温合成制备单相氮化硅镁粉体
通过自蔓延高温合成技术制备了以MgSiN2为主相的粉体,然后利用酸洗工艺除去杂质得到单相MgSiN2粉体.研究了原料配比、稀释剂MgSiN2的添加量和N2压力对燃烧合成产物相组成的影响,并探讨了酸洗条件对洗除MgO杂质的影响.研究结果表明,以化学计量比配制的原料,难以通过自蔓延高温合成法直接合成单相的MgSiN2粉体;在原料中使Mg粉过量,并对自蔓延高温合成产物进行酸洗处理,是制备单相MgSiN2粉体的一种简单、实用的有效方法.
自蔓延高温合成、氮化硅镁、稀释剂
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TQ174
国家自然科学基金50772116及50932006
2011-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
177-181