三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理

摘要：

采用传统电子陶瓷烧结工艺,制备了无掺杂物的三氧化钨（WO3）陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。研究表明：陶瓷冷却过程中在氧吸附的作用下,WO3陶瓷晶粒表面呈现氧元素富集。分析认为,晶粒表面吸附的氧与晶粒内的电子作用,在晶粒表面形成界面态,并进一步在晶界形成Schottky势垒,这可能是WO3陶瓷压敏行为的起源。根据实验结果,提出了一种修正的晶界Schottky势垒模型,解释了WO3陶瓷的压敏行为。

关键词：三氧化钨陶瓷、压敏行为、势垒模型

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2011-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1415-1419