Bi2O3掺杂对PBSZT压电-铁电陶瓷结构和特性的影响

摘要：

采用扎膜工艺和固相反应法制备了Bi2O3掺杂的（Pb0.70Ba0.26Sr0.04）（Zr0.52Ti0.48）O3–xBi2O3（Bi–PBSZT,x=0,0.1%（质量分数,下同）,0.3%,0.5%,0.8%,1.0%）压电–铁电陶瓷。通过扫描电镜和X射线衍射表征Bi–PBSZT陶瓷的结构和物相组成,并对其弯曲强度（σb）、相对介电常数（εr）和横向压电应变常数（d31）进行了检测和分析。结果表明：适量Bi2O3（x=0～0.3%）掺杂可使Bi–PBSZT陶瓷晶粒细化,致密度提高,σb增大;陶瓷的εr和d31下降。当Bi2O3掺杂量为0.3%时,Bi–PBSZT陶瓷的性能得到优化,σb为175.21MPa,εr为5520,d31为518×10–12m/V。

关键词：锆钛酸铅钡锶陶瓷、压电-铁电陶瓷、扎膜工艺、氧化铋掺杂、弯曲强度

分类号：TM282(电工材料)

在线出版日期：2011-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1401-1405