Ba掺杂对Pb（Zr,Ti,Sb）O3压电陶瓷Curie温度与压电性能的影响

摘要：

用传统固相法制备了组成为0.98Pb1.0–xBaxTi0.48Zr0.52O3–0.02PbSbO3（x=0.18～0.24）的Ba掺杂Pb（Zr,Ti,Sb）O3（PSZT）压电陶瓷。通过X射线衍射和Raman光谱研究了Ba掺杂PSZT陶瓷的结构,并测量和分析了Ba掺杂对PSZT压电陶瓷的Curie温度和压电性能的影响。结果表明：Ba掺杂影响PSZT陶瓷中四方相和三方相的转化过程、两相比例、晶粒大小并导致四方相的晶格畸变。随Ba含量（x）从0.18增加到0.24,PSZT陶瓷的Curie温度从189℃几乎线性下降到141℃;当Ba掺杂量为0.22时,PSZT陶瓷的Curie温度为156℃,压电应变常数d33为578pC/N,机电耦合系数Kp为0.63,机械品质因数Qm为37.3。

关键词：锑锆钛酸铅、压电陶瓷、掺杂、Curie温度、压电性能

分类号：TM282(电工材料)

在线出版日期：2011-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1374-1378