ZnO片式压敏电阻厚膜中Cr2O3含量的优化

摘要：

研究三氧化二铬(Cr2O3)对氧化锌(ZnO)片式压敏电阻厚膜物相结构、微观结构和电性能的影响.X衍射分析表明:Cr2O3降低Bi4Ti3O12相的分解温度,并最终影响陶瓷厚膜的致密度、晶粒尺寸及电性能.当烧结温度为880℃时,Cr2O3摩尔(下同)掺量为0.3%的陶瓷厚膜能够得到良好性能:体积密度ρv=5.52g/cm3,晶界势垒Φb=0.116eV,非线性系数α=24.8.研究烧结温度与片式压敏电阻微观结构和电性能的关系,Cr2O3掺量为0.3%的片式压敏电阻在880℃烧结时,能够获得最佳电性能:压敏电压V1 mA=25V,α=23.6,漏电流I1=2.8μA.该片式压敏电阻的低烧结温度和高非线性在工业生产中具有很大优势.

关键词：氧化锌、压敏电阻厚膜、微观结构、电性能、三氧化二铬

所属期刊栏目：38

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：新世纪优秀人才支持计划NCET-07-0329

在线出版日期：2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1122-1126