Mg-Gd-Y系合金微弧氧化陶瓷层生长机理及耐蚀性
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Mg-Gd-Y系合金微弧氧化陶瓷层生长机理及耐蚀性

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利用扫描电镜、X射线衍射等研究了Mg-11%Gd-1%Y-0.5%Zn(质量分数)合金微弧氧化陶瓷层的生长规律,分析了微弧氧化膜层相结构及不同生长阶段的耐蚀性.结果表明:在微弧氧化初期,膜层生长遵循直线规律,为典型的电化学极化控制的阳极沉积阶段;随处理时间的延长及膜层增厚,膜层生长符合抛物线规律,属微弧氧化阶段,较氧化初期比,生长速率慢;在弧光放电阶段,抛物线斜率增大,疏松层增厚,生长速率有所提高.微弧氧化疏松层主要以MgSiO3为主,致密层以MgO为主;微弧氧化各阶段,膜层耐蚀性随氧化时间增长而提高,到弧光放电阶段,耐蚀性有所降低.氧化时间为7~12min时,制备的膜层具有较好的耐蚀性.

镁-钆-钇系合金、微弧氧化、生长机理、耐蚀性

38

TG174.45(金属学与热处理)

61330 面向未来武器装备的高性能镁合金基础研究6133002B2008

2010-08-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

903-907

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