A1,Ni掺杂ZnO的电子结构与光学性质

摘要：

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了纯ZnO和分别掺摩尔分数均为6.25%A1,Ni的ZaO的能带结构、电子态密度分布及光学性质.计算结果表明:ZnO掺杂A1,Ni后,其Fermi面均上移并进入导带;Zn0.9375Ni0.0625O的能带结构在导带底附近出现了4条杂质带.纯ZnO,Zn0.9375A10.0625和Zn0.9375Ni0.0625O的光学性质在低能处有较大的差异,其中Zn0.9375A10.0625O在可见光区的吸收系数和反射率较之另外两种材料都相对较低,但三者的光学性质在高能处却非常相似.Zn<<0.9375>A10.0625O的吸收边有蓝移的趋势,而Zn0.9375Ni0.0625O的吸收边红移.掺杂Ni对ZnO的吸收系数等光学性质的改变更为明显.

关键词：氧化锌、掺杂、密度泛函理论、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：37

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金10847116:河北省自然科学基金光电材料基地专项计划08B007

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1293-1298