碳热还原-常压烧结法制备多孔氮化硅陶瓷

摘要：

采用SiO2和α-Si3N4在氮气中通过碳热还原-常压反应烧结法,原位反应制备了氮化硅多孔陶瓷.由于反应中存在大量的质量损失,烧结的制品为高气孔的材料.通过改变原料中α-Si3N4与SiO2和C粉的相对含量,可以形成具有细小针状结构的β-Si3N4晶粒,以此获得气孔率可控的高性能的多孔氮化硅材料.随着原料中α-Si3N4含量的增大,烧结后,样品的总质量损失逐渐减小,收缩率逐渐降低,气孔率逐渐减小,弯曲强度逐渐增大.当α-Si3N4的质量分数为50%时,碳热还原-常压反应烧结的样品中的β-Si3N4晶粒具有更高的长径比,样品气孔率为68.7%,具有优良的力学性能,弯曲强度达到37.7MPa.

关键词：碳热还原、常压烧结法、多孔氮化硅

所属期刊栏目：37

分类号：TQ171

资助基金：国家自然科学基金50772086:教育部高等学校博士学科点专项科研基金20060698008:国家"863"计划2007AA03Z558

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1277-1281