Al3+-Ce3+共掺杂纳米SiO2的发光性能

摘要：

采用溶胶-凝胶技术制备了Al3+-Ce3+共掺杂的纳米SiO2,并对其进行H2气氛中700～800℃的热处理.采用透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)、Fourier红外光谱仪(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)、紫外-可见分光光度计(ultraviolet-visible spectrophotometry,UV-Vis)及荧光光谱仪观察并测试掺杂改性纳米SiO2的形貌及光学性能.结果表明,掺杂纳米SiO2中存在两个起源小同的383nm发光带:一个为由245nm激发产生的383nm和402nm双峰结构的发光带.该发光起源于纳米SiO2的本征缺陷中心;另一个为由314nm激发产生的383nm宽带发光,该发光带起源于掺杂的Ce3+;并且研究了该发光带强度与Al3+的掺杂浓度以及热处理温度的关系.

关键词：纳米二氧化硅、光致发光、铝离子-铈离子共掺杂、溶胶-凝胶法

所属期刊栏目：37

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金新教师课题20070359030

在线出版日期：2009-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：970-974