中子辐照对6H-SiC晶体比热容的影响

摘要：

用剂量为8.2×1018/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照.采用X射线衍射仪、差示扫描量热仪测试6H-SiC晶体中辐照损伤.结果表明:中子辐照对6H-SiC样品产生了严重损伤,且辐照后的6H-SiC的比热容明显上升.对辐照样品进行了常温至1 200℃的退火处理,退火后的辐照样品的比热容先随退火温度的升高而逐渐降低,1 000℃时比热容到达最低值;当退火温度超过1 000℃时晶体的比热容反而上升.运用从头算方法定性计算了晶体中间隙原子对比热容的影响.结果表明:晶体经中子辐照及退火后,其比热容发生变化的主要原因在于晶体中间隙原子的浓度的变化.辐照后的样品在超过1 000℃退火时比热容的反常回升现象,极有可能与辐照前对晶体所作的在1 000℃的预退火处理有关.

关键词：碳化硅晶体、中子辐照、比热容

所属期刊栏目：37

分类号：O77+4(晶体缺陷)

资助基金：天津市自然科学基金07JCZDJC00600,07JCYBJC06000

在线出版日期：2009-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：605-608